28n50場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.16Ω，...28n50場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.16Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷、低交叉，開關速度快，高效低耗；100% 雪崩失...
引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種，引腳中心距為2.54mm,引腳數從...引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種，引腳中心距為2.54mm,引腳數從6-64； 適合在PCB上穿孔焊接，操作方便，體積比較大
SOT-89封裝尺寸為長度4.5毫米、寬度2.45毫米、高度1.55毫米，引腳間距為1.5毫米...SOT-89封裝尺寸為長度4.5毫米、寬度2.45毫米、高度1.55毫米，引腳間距為1.5毫米，支持3或5引|腳配置。部分制造商的產品可能存在細微差異，例如長度可能為4.6毫米、...
KNB2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，采用專有的新型技術制造，極...KNB2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，采用專有的新型技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，開關速度快，減...
輸入端連接可調穩壓電源，調整VR1讓電路在約11.5V時完成電源切換動作。為了實現...輸入端連接可調穩壓電源，調整VR1讓電路在約11.5V時完成電源切換動作。為了實現更高效的能源管理，需要采用低導通電阻的PMOS場管。
采用高頻變壓器或電感儲能，通過PWM控制實現高效能量轉換。效率高（可達90%以上...采用高頻變壓器或電感儲能，通過PWM控制實現高效能量轉換。效率高（可達90%以上），但電路復雜，常用于大功率LED驅動。
