電動車報警器專用場效應管KIA35P10AD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用KI...電動車報警器專用場效應管KIA35P10AD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用KIA先進的溝槽技術(shù)制造，優(yōu)秀的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM)，提供卓越的開關(guān)性能；低導通電阻...
從運放這張圖中，可以看出這就是一個反相積分電路，當輸入電阻較大時，開關(guān)速度...從運放這張圖中，可以看出這就是一個反相積分電路，當輸入電阻較大時，開關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是當開關(guān)速度比較高，而且VDD供電電壓比較...
當Q3基極輸入高電平時，三極管導通，Q1、Q2的柵極都被拉到0V，Q1通過體二極管，...當Q3基極輸入高電平時，三極管導通，Q1、Q2的柵極都被拉到0V，Q1通過體二極管，符合條件（Vgs<0）先導通，接著Q2的源極S端電壓大于柵極G端電壓（Vgs
KNY3403A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用KIA先進的溝槽技術(shù)，低導...KNY3403A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用KIA先進的溝槽技術(shù)，低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，減少導通損耗、提供卓越的開關(guān)性...
兩個PMOS接在上邊作為上橋臂，兩個NMOS接在下邊作為下橋臂，要想讓PMOS導通，那...兩個PMOS接在上邊作為上橋臂，兩個NMOS接在下邊作為下橋臂，要想讓PMOS導通，那么PMOS柵極的電壓就要低于源極的電壓，而且柵源之間的電壓要低于開啟電壓。
